1. 1200度小型快速退火爐
RTP1000S 此款小型快速退火爐是集成儀巧妙的結構設計和獨特的加熱方式與一體，使得體積和功率都大幅減小的同時，昇降溫速率卻比傳統退火爐提升了數倍之多。它既可以通氣氛又可以抽真空，滿足了很多用戶對小樣品快速退火的工藝要求。
應用領域
快速熱退火 (RTA); 離子注入後退火
石墨烯等氣象沉積，碳納米管等外延生長
快速熱氧化 (,RTO); 熱氮化 (RTN);
硅化 (Silicidation);
擴散 (Diffusion);
離子注入後退火 (Implant Annealing);
電極合金化 (Contact Alloying);
晶向化和堅化 (Crystallization and Densification);
技術參數
| 產品名稱 |
小型快速退火爐 |
| 產品型號 |
RTP1000S |
| 極限溫度 |
1000℃ |
| 額定溫度 |
1000℃ |
| 控溫精度 |
±1℃ |
| 最快升溫速率 |
20℃/S(900-1000℃升溫3-5℃/S) |
| 最快降溫速率 |
隨爐冷卻75℃/min 物料台拉出降溫800℃/min |
| 控制方式 |
智能PID |
| 加熱方式 |
短波紅外線加熱 |
| 加熱腔體結構 |
石英管 |
| 樣品冷卻 |
自然冷卻或通入冷卻氣體 |
| 冷卻氣體調節 |
浮子流量計(100～1000ml/min)（選配） |
| 超溫保護 |
溫度出現過高時切斷主迴路 |
| 恆溫區尺寸 |
35mm |
| 載料體尺寸 |
30*25mm |
| 傳感器類型 |
K型 |
| 真空系統 |
1L/S 雙級聯真空系統 CHY-4C（選配） |
| 整機真空度 |
3Pa（選配CHY-4C真空泵） |
| 抽氣端口尺寸 |
KF25 |
| 供氣口尺寸 |
1/4英吋雙卡套 |
| 額定功率 |
1.5kw |
| 額定電壓 |
AC220V,50Hz |
| 重量 |
15kg |
| 配件 |
坩堝鉗1把，說明書1本。 |
| 外形尺寸 |
610x400x410（長*寬*高） |
1200度爐膛移動式管式爐帶管徑60mm和80mm
CMT1200 用途： 主要用於快速昇降溫領域。 規格： Φ60*1000mm，80*1200mm特點： 爐膛可以根據設定要求，不但可以實現自動左右移動，而且移動速度可人工調節。該設備主要用於快速昇降溫領域。爐膛可以根據設定要求，不但可以實現自動左右移動，而且移動速度可人工調節。爐膛在一側升溫至設定的溫度后，直接移動到另一側樣品加熱區實現快速升溫，可達140℃/min，在燒結完畢后爐膛移開樣品加熱區實現快速降溫，300℃之前可達200～50℃/min降溫速率。爐膛如此自動地左右往復移動，可完成材料的熱疲勞試驗!
技術參數
| 產品名稱 |
成儀爐膛移動式管式爐 |
| 常規型號 |
CMT1200 |
| 爐膛材料 |
氧化鋁纖維 |
| 加熱元件 |
摻鉬的鐵鉻鋁合金加熱絲 |
| 極限溫度 |
1200℃ |
| 工作溫度 |
≤1150℃ |
| 升溫速率 |
≤20℃(建議:10℃/min) |
| 溫區長度 |
200mm |
| 恆溫區長 |
100mm |
| 爐管尺寸 |
Φ60*1200mm，,80*1200mm |
| 密封方式 |
不鏽鋼真空法蘭 |
| 氣 密 性 |
真空法蘭和石英爐管的氣密性 可達9.8×10-4Pa |
| 控溫精度 |
±1℃ |
| 控溫方式 |
智能PID 30段程序控溫，具有過流保護、超溫和斷偶報警 |
| 供電電源 |
220V 50Hz |
| 整機功率 |
2.5KW |
| 標準配件 |
石英爐管1支，不鏽鋼真空法蘭1套，爐管堵塞2個，O型密封圈6個，高溫手套1副，石英舟1個，爐鉤1把，5mm內六角扳手1把，說明書1本。 |
1200度管徑100mm快速退火爐RTP
快速熱處理退火爐簡稱 RTP(Rapid Thermal Processing Furnace)，不但擁有很快的升溫速率100℃/S，而且降溫速率也有了質的飛躍，降溫速率100℃/S。我們的工程師們巧妙地利用了冷壁工藝，以至於達到如此快的降溫速度。真正的快速升溫和快速降溫!腔體採用了獨有雙層石英管結構，外層管進氣，內層管出氣，使得反應氣氛與加工樣品充分而均勻地接觸。加熱燈管之所以能夠讓硅片快速升溫，是因為光源波長在0.3-4微米之間，石英管壁無法有效吸收這一波段的輻射，而晶片則正好相反。因此，晶片可以吸收輻射能量快速加熱，而此時石英管壁仍維持低溫，即所謂冷壁工藝。
應用領域
快速熱退火 (RTA); 離子注入後退火
石墨烯等氣象沉積，碳納米管等外延生長
快速熱氧化 (,RTO); 熱氮化 (RTN);
硅化 (Silicidation);
擴散 (Diffusion);
離子注入後退火 (Implant Annealing);
電極合金化 (Contact Alloying);
晶向化和堅化 (Crystallization and Densification);
技術參數
| 主要技術指標 |
數據 |
| 產品型號 |
RTP1100 |
| 極限溫度 |
1200℃ |
| 額定溫度 |
1100℃ |
| 控溫精度 |
±1℃ |
| 溫場均勻性 |
±2℃ |
| 最快升溫速率 |
100℃/S |
| 最快降溫速率 |
100℃/S |
| 操控系統 |
智能模糊控制 |
| 操作界面 |
7英吋觸摸屏 |
| 加熱方式 |
短波紅外線加熱 |
| 加熱腔體結構 |
雙層管 |
| 氣體流動方式 |
外管進氣，內管出氣 |
| 擴充端口 |
可擴充真空測控和FFC供氣 |
| 過載保護 |
電流過大自動切斷主迴路 |
| 超溫保護 |
溫度出現過高時切斷主迴路 |
| 傳感器類型 |
S型單鉑銠 |
| 反應腔室尺寸 |
Φ100*200mm |
| 式樣有效空間 |
3.5英吋 |
| 傳感器類型 |
9.8×10-4Pa |
| 抽氣端口尺寸 |
KF16（或Φ8mm寶塔嘴） |
| 供氣口尺寸 |
Φ6.35mm雙卡套（或Φ8mm寶塔嘴） |
| 樣品冷卻方式 |
風冷 |
| 法蘭冷卻方式 |
水冷 |
| 功率 |
15KW |
| 額定電壓 |
AC 380V，50Hz |
| 外形淨尺寸 |
950*500*560 |
| 重量 |
約55KG |
