1. 1200度小型快速退火炉
RTP1000S 此款小型快速退火炉是集成仪巧妙的结构设计和独特的加热方式与一体，使得体积和功率都大幅减小的同时，升降温速率却比传统退火炉提升了数倍之多。它既可以通气氛又可以抽真空，满足了很多用户对小样品快速退火的工艺要求。
应用领域
快速热退火 (RTA); 离子注入后退火
石墨烯等气象沉积，碳纳米管等外延生长
快速热氧化 (,RTO); 热氮化 (RTN);
硅化 (Silicidation);
扩散 (Diffusion);
离子注入后退火 (Implant Annealing);
电极合金化 (Contact Alloying);
晶向化和坚化 (Crystallization and Densification);
技术参数
| 产品名称 |
小型快速退火炉 |
| 产品型号 |
RTP1000S |
| 极限温度 |
1000℃ |
| 额定温度 |
1000℃ |
| 控温精度 |
±1℃ |
| 最快升温速率 |
20℃/S(900-1000℃升温3-5℃/S) |
| 最快降温速率 |
随炉冷却75℃/min 物料台拉出降温800℃/min |
| 控制方式 |
智能PID |
| 加热方式 |
短波红外线加热 |
| 加热腔体结构 |
石英管 |
| 样品冷却 |
自然冷却或通入冷却气体 |
| 冷却气体调节 |
浮子流量计(100～1000ml/min)（选配） |
| 超温保护 |
温度出现过高时切断主回路 |
| 恒温区尺寸 |
35mm |
| 载料体尺寸 |
30*25mm |
| 传感器类型 |
K型 |
| 真空系统 |
1L/S 双级联真空系统 CHY-4C（选配） |
| 整机真空度 |
3Pa（选配CHY-4C真空泵） |
| 抽气端口尺寸 |
KF25 |
| 供气口尺寸 |
1/4英寸双卡套 |
| 额定功率 |
1.5kw |
| 额定电压 |
AC220V,50Hz |
| 重量 |
15kg |
| 配件 |
坩埚钳1把，说明书1本。 |
| 外形尺寸 |
610x400x410（长*宽*高） |
1200度炉膛移动式管式炉带管径60mm和80mm
CMT1200 用途： 主要用于快速升降温领域。 规格： Φ60*1000mm，80*1200mm特点： 炉膛可以根据设定要求，不但可以实现自动左右移动，而且移动速度可人工调节。该设备主要用于快速升降温领域。炉膛可以根据设定要求，不但可以实现自动左右移动，而且移动速度可人工调节。炉膛在一侧升温至设定的温度后，直接移动到另一侧样品加热区实现快速升温，可达140℃/min，在烧结完毕后炉膛移开样品加热区实现快速降温，300℃之前可达200～50℃/min降温速率。炉膛如此自动地左右往复移动，可完成材料的热疲劳试验!
技术参数
| 产品名称 |
成仪炉膛移动式管式炉 |
| 常规型号 |
CMT1200 |
| 炉膛材料 |
氧化铝纤维 |
| 加热元件 |
掺钼的铁铬铝合金加热丝 |
| 极限温度 |
1200℃ |
| 工作温度 |
≤1150℃ |
| 升温速率 |
≤20℃(建议:10℃/min) |
| 温区长度 |
200mm |
| 恒温区长 |
100mm |
| 炉管尺寸 |
Φ60*1200mm，,80*1200mm |
| 密封方式 |
不锈钢真空法兰 |
| 气 密 性 |
真空法兰和石英炉管的气密性 可达9.8×10-4Pa |
| 控温精度 |
±1℃ |
| 控温方式 |
智能PID 30段程序控温，具有过流保护、超温和断偶报警 |
| 供电电源 |
220V 50Hz |
| 整机功率 |
2.5KW |
| 标准配件 |
石英炉管1支，不锈钢真空法兰1套，炉管堵塞2个，O型密封圈6个，高温手套1副，石英舟1个，炉钩1把，5mm内六角扳手1把，说明书1本。 |
1200度管径100mm快速退火炉RTP
快速热处理退火炉简称 RTP(Rapid Thermal Processing Furnace)，不但拥有很快的升温速率100℃/S，而且降温速率也有了质的飞跃，降温速率100℃/S。我们的工程师们巧妙地利用了冷壁工艺，以至于达到如此快的降温速度。真正的快速升温和快速降温!腔体采用了独有双层石英管结构，外层管进气，内层管出气，使得反应气氛与加工样品充分而均匀地接触。加热灯管之所以能够让硅片快速升温，是因为光源波长在0.3-4微米之间，石英管壁无法有效吸收这一波段的辐射，而晶片则正好相反。因此，晶片可以吸收辐射能量快速加热，而此时石英管壁仍维持低温，即所谓冷壁工艺。
应用领域
快速热退火 (RTA); 离子注入后退火
石墨烯等气象沉积，碳纳米管等外延生长
快速热氧化 (,RTO); 热氮化 (RTN);
硅化 (Silicidation);
扩散 (Diffusion);
离子注入后退火 (Implant Annealing);
电极合金化 (Contact Alloying);
晶向化和坚化 (Crystallization and Densification);
技术参数
| 主要技术指标 |
数据 |
| 产品型号 |
RTP1100 |
| 极限温度 |
1200℃ |
| 额定温度 |
1100℃ |
| 控温精度 |
±1℃ |
| 温场均匀性 |
±2℃ |
| 最快升温速率 |
100℃/S |
| 最快降温速率 |
100℃/S |
| 操控系统 |
智能模糊控制 |
| 操作界面 |
7英寸触摸屏 |
| 加热方式 |
短波红外线加热 |
| 加热腔体结构 |
双层管 |
| 气体流动方式 |
外管进气，内管出气 |
| 扩充端口 |
可扩充真空测控和FFC供气 |
| 过载保护 |
电流过大自动切断主回路 |
| 超温保护 |
温度出现过高时切断主回路 |
| 传感器类型 |
S型单铂铑 |
| 反应腔室尺寸 |
Φ100*200mm |
| 式样有效空间 |
3.5英寸 |
| 传感器类型 |
9.8×10-4Pa |
| 抽气端口尺寸 |
KF16（或Φ8mm宝塔嘴） |
| 供气口尺寸 |
Φ6.35mm双卡套（或Φ8mm宝塔嘴） |
| 样品冷却方式 |
风冷 |
| 法兰冷却方式 |
水冷 |
| 功率 |
15KW |
| 额定电压 |
AC 380V，50Hz |
| 外形净尺寸 |
950*500*560 |
| 重量 |
约55KG |
